陈刚

时间：2023年02月25日点击数：

个人简介

陈刚教授

教育经历：

2006.9-2009.7：南京大学物理系微电子学与固体电子学专业学习，获得工学博士学位；
1994.9-1998.7：南京大学物理系半导体物理专业学习，获得理学学士学位。

工作经历：

1998.8-2022.10：中国电子科技集团公司第五十五研究所从事科研开发、应用推广、市场对接工作
2022.11-至今：山东产业技术研究院（烟台）先进半导体功率器件研发中心主任

目前研究领域：

Si基SBD、MOS、IGBT等常规半导体器件及应用；
SiC、GaN基等宽禁带半导体功率电子材料、芯片设计及研究；
大功率电力电子器件、新型高压SiC器件、GaN快速功率器件等封装技术研究；
SiC混合模块、全SiC模块、GaN功率模块等封装技术及应用研究。

承担研究课题：

2008.1～2011.12，重大专项项目，“L、S波段SiC固态微波功率器件”，子专题“3英寸SiC MESFET器件工艺技术”，主持；
2008－2010年，十一五预研项目，“SiC微波功率器件、单片功率放大器”，500万元，主持；
2010.1～2011.12，预先研究电子支撑技术项目，“碳化硅高压结型场效应三极管研究”，200万元，主持；
2011.1～2013.12，国家高技术研究发展计划（863计划），“能源高效转换高压大容量新型功率器件研发与应用”，子项目主持；
2011.1～2015.12，“十二五”预先研究项目，“新结构SiC微波大功率器件”，51308030118，580万元，主持；
2014.1～2017.12，科技部国家科技重大专项，01专项，“SiC千瓦级大功率开关器件”，2013ZX01001-001，2293万元，子项目主持；
2014.1～2016.12，科技部国家高技术研究发展计划（“863”项目），“基于宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用”，2014AA052401，188万元，子项目主持；
2016.6～2020.12，科技部国家十三五重点研发项目，“基于宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用”，2287万元，子项目主持；
2018.1～2022.8，电子元器件型谱系列科研项目，“1200V碳化硅MOSFET功率模块”，500万元，主持。

研究生培养：

招收宽禁带半导体器件设计、工艺制作与封装测试方向研究生，2023年开始招生。

代表性成果：

先后获得省部级技术发明奖一等奖1项，科学技术奖一等奖1项。2004年以来，在《Solid State Electronics》和《Chinese Physics B》等国内外学术期刊上发表术文章36篇，其中SCI（科学索引）收录2篇，EI（工程索引）收录12篇。获得授权国家发明专利授权10项，其中排名第一的6项。
代表性成果如下：

编号	文章题目	何刊物发表（或何学术会议交流）	发表（交流）时间	独著或合著名次	收录
1	n型4H－SiC欧姆接触特性研究	13届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议	2004	第一作者
2	n沟道4H－SiC MESFET器件研究	固体电子学研究与进展	2005	第一作者
3	1-mm SiC多指栅微波功率器件研究	第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议	2005	第一作者
4	Fabrication and characterization of 150um total gate periphery 4H-SiC MESFET	2006 China-Japan Joint Microwave Conference Proceedings	2006	第一作者
5	SiC MESFET器件工艺研究	14届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议	2006	第一作者
6	S波段4W SiC MESFET器件研制	全国第十一届微波集成电路与移动通信学术会议	2006	第一作者
7	1-mm栅宽SiC MESFET微波功率器件研究	第6届全国毫米波亚毫米波学术会议论文集	2006年8月	第一作者
8	S波段4W SiC MESFET器件研制	2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会	2006年9月	第一作者
9	Fabrication and characterization of 150um t otal gate periphery 4H-SiC MESFET	2006 China-Japan Joint Microwave Conference Proceedings	2006年8月	第一作者	EI
10	SiC MESFET器件工艺研究	半导体学报增刊第28卷	2007年9月	第一作者
11	Properties of Homoepitaxial 4H-SiC and Characteristics of Ti4H-SiC Schottky Barrier Diodes	The 6th International Conference on Thin Film Physics and Application	2007年9月	第一作者	EI
12	Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes with field plate and B+ implantation edge termination technology	半导体学报第28卷	2007年第9期	第一作者	EI
13	3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性	第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议	2007年11月	第一作者
14	Fabrication of SiC MESFETs for Microwave Power Applications	半导体学报第28卷	2007年第1期	第二作者
15	导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET	半导体学报增刊第28卷	2007年9月	第二作者
16	4H－SiC欧姆接触与测试方法研究	固体固体电子学研究与进展	2008，28（1）	第一作者	EI
17	大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究	第十二届微波集成电路与移动通信学术会议	2008年9月	第一作者
18	4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究	半导体技术增刊 Vol. 33	2008	第一作者
19	4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响	半导体技术增刊 Vol. 33	2008	第一作者
20	Microwave power of S-Band 20mm SiC MESFETs	电子器件和固态电路国际会议 (EDSSC)（EI收录）	2009年11月	第一作者	EI
21	Physical simulations and experimental results of a 4H-SiC MESFET on high purity semi-insulating substrate	Chinese Physics B	2009年10月	第一作者	SCI
22	采用场板和边缘终端技术的大电流Ni/4H－SiC SBDs	固体电子学研究与进展	2009年第4期	第一作者
23	微波大功率SiC MESFET及MMIC	中国电子科学研究院学报	2009年4月	第二作者
24	Microwave power and simulation of S-band SiC MESFETs	Solid-State Electronics	2010年4月	第一作者	SCI
25	UHF频段高功率SiC SIT	固体固体电子学研究与进展	2011，31（1）：pp:20-23	第一作者
26	213 W 500 MHz 4H-SiC static induction transistor	2011 3rd International Conference on Mechanical and Electronics Engineering	2011.9,pp.161-163	第一作者	EI
27	5A 1300V Trenched and Implanted 4H-SiC vertical JFET	Mechanical and Electrical Technology IV(Applied Mechanics and Materials)	2012.4,Vol. 229-231,pp.824-827	第一作者	EI
28	金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究	第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议	2012.11，pp.478-481	第一作者
29	Study of Small Signal of 4H-SiC Static Induction Transistor	TELKOMNIKA	Vol. 11, No. 5, May 2013, pp. 2838 ~ 2844	第一作者	EI
30	Fabrication of L band 4H-SiC SIT devices	Instruments, Measurement, Electronics and Information Engineering	2013.5,pp.3413-3416	第一作者	EI
31	Progress of high voltage trenched and implanted 4H-SiC vertical JFET	Energy and Power Engineering PART III	Vol. 5, 2013, pp. 1284-1287	第一作者
32	Development of 1000V SiC JBS diodes	Advances in Mechatronics, Automation and Applied information Technologies	2013.9,pp:741-744	第一作者	EI
33	L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究	2013年全国微波毫米波会议（NCMMW2013）	2013.5,pp.1170-1172	第一作者
34	高压SiC JFET研究进展	固体固体电子学研究与进展	2013，33（3）：pp.1-5	第一作者
35	Study on fabrication and fast switching of High Voltage SiC JFET	Solar Energy Materials and Energy Engineering( Advanced Materials Research)	2013,9,pp.282-286(Vol. 846-847 (2014)，pp 741-744)	第一作者	EI
36	Fabrication and Evaluation of a 2000V-4A SiC Module	2nd International Forum on Electrical Engineering and Automation (IFEEA 2015)	2015年	第二作者	EI

序号	专利名称	授权号	专利类别	发明人排序
1	一种改善SiC台面底部的刻蚀方法	ZL 201210355925.9	发明专利	第一发明人
2	一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法	ZL 201210244717.1	发明专利	第一发明人
3	一种减小SiC凹槽损伤提高肖特基栅可靠性的方法	ZL 201210424730.5	发明专利	第一发明人
4	用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法	ZL 201210302115.7	发明专利	第一发明人
5	一种台阶高度实时监控的SiC光敏掩膜刻蚀方法	ZL 201310113354.2	发明专利	第一发明人
6	一种SiC静电感应晶体管减小栅长的方法	ZL 201310505608.5	发明专利	第一发明人
7	SiC器件的电学隔离方法	ZL 200610096641.7	发明专利	第二发明人
8	一种复合结构SiC衬底器件的切割方法	ZL 201510636025.5	发明专利	第二发明人
9	一种用于制造SiC器件的高温退火方法	ZL 201210104300.5	发明专利	第三发明人
10	一种金属-SiC欧姆接触快速退火方法	ZL 201210000251.0	发明专利	第三发明人

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